《表3 TiCl4分子在TiO2 (110) 表面吸附的Mulliken电荷布居》

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《金红石型TiO_2(110)表面吸附TiCl_4的微观机理》

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TiCl4分子、TiCl4以面心向下方式吸附于三种不同类型的TiO2（110）表面，优化后的TiCl4分子的Mulliken电荷布居如表3所示。由表3可知，TiCl4在完整表面上几乎没有电荷的转移；在有一个氧空位的晶胞表面，有1.32eV电荷从Ti原子转移到晶胞表面，晶胞表面向Cl1、Cl2、Cl3和Cl4原子转移了1.12eV电荷，最后总共有0.2eV电荷从TiCl4分子向晶胞表面发生了转移，说明TiCl4分子被表面的氧空位氧化；而在有两个氧空位的表面，有1.02eV电荷从Ti原子转移到晶胞表面，晶胞表面向Cl1、Cl2、Cl3和Cl4原子转移了1.28eV电荷，最后总共有0.26eV电荷从TiCl4分子向晶胞表面发生转移，比有一个氧空位的晶胞表面多转移了0.06eV的电荷，说明随着氧空位密度的增加，TiCl4分子向表面转移的电荷增多，表面氧化的程度更强。