《表1 电荷布居分析Tab.1 Charge population analysis》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Sr-F共掺杂对AgSnO_2电性能影响的仿真分析》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

Sn O2、Sr单掺杂及Sr-F共掺杂的平均电荷布居数如表1所示。根据表1数据，Sn原子与O原子的电荷布居数分别为1.90 e和-0.95 e，即Sn带正电荷失电子，O带负电荷得电子，结合电荷密度可知Sn与O之间有部分离子键存在的共价性晶体。Sr单掺杂后，Sr的4p态贡献较大，主要作用在价带部分。Sr-F共掺杂后，Sr的4p轨道与F的2p轨道贡献最大，且O与Sn的平均电荷布居数都减少，即O与Sn得电子能力减弱，同时共掺杂元素也提供了一部分电子，使得Sr-F共掺杂Sn O2产生了带负电的晶体缺陷，因此改善了Sn O2的导电性能。