《表2 中间体的M—N键的键临界点处的电子密度拓扑参数》
表2列出了22种中间体的M—N配位键的键临界点处的电子密度拓扑参数,如电子密度(ρ(r))及其拉普拉斯值(▽2ρ(r))、电子动能密度(G(r))、电子势能密度(V(r))和电子总能量密度(H(r)).计算结果表明22种中间体的M—N配位键的键临界点的ρ(r)值均较小,M—N(N3-)键的ρ(r)在0.09~0.13 a.u.之间,M—N(CH3CN)键的ρ(r)在0.05~0.09 a.u.之间.计算的▽2ρ(r)>0,说明M—N配位键的键临界点处的电荷是发散的.如图S2的拉普拉斯等值线图所示,M—N配位键的键临界点其位于绿色实线区域,此处电荷是发散区域.基于M—N键的键临界点的ρ(r)和▽2ρ(r)值表明金属离子与配位原子之间是典型的闭壳层相互作用[20],M—N配位键呈现离子键特征.此外,计算的M—N配位键的键临界点处的H(r)<0,|V(r)|/G(r)>1,表明M—N键具有部分的共价键的特征[21~23].比较两种类型的中间体键临界点处的ρ(r)值大小,可以看出M—N(N3-)键的ρ(r)比M—N(CH3CN)键的大,其差值在0.02~0.05 a.u.之间,表明M—N(N3-)键的强度比M—N(CH3CN)键的大,在含金属离子、叠氮酸根和有机腈的反应体系中,更易于经配位作用形成金属离子与叠氮酸根的中间体.因此,电子密度拓扑分析也能够表明在反应体系中金属离子的作用是活化叠氮酸根.该结果与上述的键长和键级分析结果一致.
图表编号 | XD00161640900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.15 |
作者 | 黄荣谊、沈琼、张超、张少勇、徐衡 |
绘制单位 | 安庆师范大学化学化工学院功能配合物安徽省重点实验室、安庆师范大学化学化工学院功能配合物安徽省重点实验室、安庆师范大学化学化工学院功能配合物安徽省重点实验室、安庆师范大学化学化工学院功能配合物安徽省重点实验室、安庆师范大学化学化工学院功能配合物安徽省重点实验室 |
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