《表1 反应通道主要化学键的电子密度拓扑性质》

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《密度泛函理论研究SiFCl自由基和异硫氰酸的反应机理》

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反应物中间体IM1生成时，能量降低0.1kJ·mol-1，在IM1中，通过Si、S、C相互作用经TS1形成稳定的三元环中间体IM2，反应势垒为113.8kJ·mol-1。然后IM2经TS2生成产物P1（SC-SiFCNH），反应势垒为113.2kJ·mol-1。在整个反应过程中C-N键长从0.1194nm（IM1）逐渐伸长至0.1295nm（TS2）、0.1382nm（IM2），同时，N-Si键长逐渐缩短，依次从0.3641nm（IM1），0.1901nm（TS1），0.1843nm（IM2），0.1609nm（P2），C-N的削弱有利于C-N键的断裂和C-Si键的生成。由表1所示，N-Si键BCP的ρ（r）逐渐升高至0.1607（P1），表明键强度逐渐增强，直至键生成。2ρ（r）值逐渐增大，表明N-Si键离子性增强。C-N键BCP的ρ（r）从0.4315（IM1）降至0.3024（IM2），表明键强度逐渐减弱，直至断裂生成P1。C-N键的2ρ（r）值逐渐增加，表明键的共价性逐渐减弱，离子性逐渐增强，形象地描述了键的断裂最后生成P1的过程。