《表1 边界条件：恒定压降下电子元件热沉的拓扑优化设计》

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《恒定压降下电子元件热沉的拓扑优化设计》

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设计区域内的热源项为（1-γ）Q=(1-γ）h(TQ-T），其中优化区域中的固体部分作为热源，温度为TQ。热源以放热系数h向优化区域放热，无量纲化之后的表达式为（1-γ）s(1-T*）。热沉的进口温度定为Tin。拓扑优化的具体边界条件如表1所示。