《表1 所研究复合物的Si…N和Ge…N的键临界点处AIM分析结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《几种苯衍生物与NH_3的复合物的tetrel键的理论研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

AIM分析显示，所研究的复合物的Si?N和Ge?N间存在键临界点（BCP），该BCP处电子密度的拓扑参数如表1所示，包括电子密度（ρb）及其Laplacian量（?2ρb）、能量密度（Hb）、动能密度（Gb）和势能密度（Vb），可帮助分析体系的作用类型以及作用强度[8]。从表1中的数据可以看出，对于Ph Si H3?NH3和Ph Ge H3?NH3复合物，Si?N和Ge?N间存在键临界点处的?2ρb>0，Hb>0，且-Gb/Vb>1，说明分子间tetrel键为非共价作用，以静电作用为主。当苯衍生物的-Si H3和-Ge H3中的H原子被F原子取代后，Ph Si F3?NH3和Ph Ge F3?NH3复合物中，Si?N和Ge?N间存在键临界点处的?2ρb>0，Hb<0，且-Gb/Vb在0.6～0.7之间，说明分子间tetrel键具有部分共价性质，静电作用的成分大一些。此外，从Si?N和Ge?N间BCP处的电子密度来看，Ph Si H3>Ph Ge H3，Ph Ge F3>Ph Si F3，这与前面计算所得的复合物的结合能大小顺序是吻合的，即BCP处的电子密度越大，分子间作用越强。