《表2 描述性统计结果：有发明创新背景CEO、研发投入与股价崩盘风险》

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《有发明创新背景CEO、研发投入与股价崩盘风险》

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表4报告了H2的回归结果，本文将样本中大于或等于研发投入强度中位数的分类为高研发投入，反之则分类为低研发投入，并分别进行回归。由回归结果可知，在高研发投入的情况下，当因变量为NCSKEW时，CEO＿inventor的回归系数为0.0763且在1%的水平上显著；当采用DUVOL衡量股价崩盘风险时，CEO＿inventor的回归系数为0.0480且在1%的水平上显著。相比于未分类的情况，解释变量的回归系数正值更大且显著水平也有所提升。在低研发投入的情况下，解释变量的回归系数并不显著。这验证了本文的H2，并在一定程度上验证了有发明创新背景CEO对股价崩盘风险正向影响的传导机制是因为其加大了研发投资风险。