《表1 非晶碳膜沉积参数：基于非晶碳膜压阻效应的MEMS压力传感器研究》

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《基于非晶碳膜压阻效应的MEMS压力传感器研究》

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本研究采用直流磁控溅射工艺进行非晶碳膜的沉积，采用的设备为磁过滤阴极弧复合溅射镀膜仪，型号为P600-1。为了保证传感器所要求的绝缘性，采用了加工有170 nm氧化层的干法氧化硅片（φ100 mm×500μm，n型<100>）作为衬底。为了增强非晶碳膜与衬底的结合力，首先使用Ar等离子体进行了30 min的辉光刻蚀，使用的基底偏压为–350 V，工作气压为1.06 Pa。直流溅射过程中，使用了纯度为99.999%的碳靶材，沉积过程中的其他具体参数见表1。