《表1 钴基非晶参数表:一种构造方形通孔结构的磁通门传感器设计及其实验验证》
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《一种构造方形通孔结构的磁通门传感器设计及其实验验证》
本实验对8kVA变压器进行了测试,其饱和磁密等于1.48t,利用临时线圈方式进行测试,得到变压器低压侧的线圈共226匝,可以计算出变压器的饱和时励磁电流是0.15A。为避免变压器达到饱和运行状态,将直流电流的大小控制在0~0.12A之间。为了使磁芯更加容易达到饱和状态,选择具有高磁导率的钴基非晶作为磁芯材料,表1给出该材料的各项性能参数。
图表编号 | XD00161992900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.20 |
作者 | 韩东、顾建疆 |
绘制单位 | 新疆石河子职业技术学院、新疆石河子职业技术学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |