《表2 两种算法测量结果的对比》
系统工作时,将100nm~10μm线距标准样片依次放在NMM测量平台上,测量平台通过压电陶瓷驱动,进行纳米级精准移动,保证了样片光栅特征的快速循迹与定位。经过扫描,可重建样片光栅特征的三维形貌,进而计算光栅的线距值。同理,选取样片光栅特征的10个周期,并取平均值作为单周期测量值。此外,将NMM测量值作为参照值,通过计算两种算法的相对误差,来比较两种算法的优劣性,如表2所示。
图表编号 | XD00133377400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.01.10 |
作者 | 张晓东、赵琳、韩志国、冯亚南、李锁印 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |