《表2 本文计算的理论值与文献报道结果的对比Table 2 Comparison of calculated results from literature with various theory》下

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《(001)面双轴应变锗材料的能带调控》

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由于目前实验室制备较高应变的Ge材料比较困难，而且应变条件下Ge材料的禁带宽度也鲜有报道，我们将计算得到的理论值与其他研究小组的计算结果进行比较，如表2所示。主要比较的项目为Ge材料被调控为以Г能谷为导带底的直接带隙半导体和被调控为以Δ4能谷为导带底的间接带隙半导体所需要施加的具体应变值。