《Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物制备》求取 ⇩

目录1

GaAs与GaP系的相平衡1

Ga—As—杂质三元相图的三角形表示方法15

GaAs中杂质溶体与气相的平衡和与Ga中GaAs溶体的平衡18

对某些Ⅲ—Ⅴ族化合物CVD的质谱和热力学研究22

n-GaAs外延层中剩余杂质的特性和掺杂动力学32

在外延生长GaAs中的位错和界面上的平面缺陷43

在液体密封剂下合成砷化镓用的装置47

GaAs和Ⅲ—Ⅴ族半导体混晶的生长和特性描述的新方法49

压力平衡：化合物熔体生长过程中抑制离解的方法58

温度场和热应力对切克劳斯基方法生长砷化镓单晶中位错形成的影响62

外延GaAs的汽相生长：影响外延层纯度和表面形貌的参数65

GaAs的选择外延汽相生长79

Ⅲ—Ⅴ族化合物熔液外延用的毛细作用液膜技术84

掺Mg的GaAs和AlxGa1-xAs的分子束外延86

用化学汽相淀积法在绝缘衬底上进行GaAs异质外延91

从富含Ga溶体中生长的Ga1-xAlxAs的组份与生长温度和溶体组份的函数关系92

双异质结构GaAs—AlxGa1-xAs激光二极管的可重复液相外延生长94

Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的液相外延和化学汽相外延的比较103

InP薄膜的制备及其结构的研究112

衬底制备对磷化镓液相外延层完整性的影响114

GaAsSb的液相外延生长及其作为高效长波阈值光电发射体的应用119

霍耳和磁阻法测量砷化镓的电学性质125

硇化镓的光学及结晶学特性134

用扫描激光技术作半导体非破坏性检验144