《半导体器件的可靠性专集》

作者	中国科学技术情报研究所重庆分所编辑编者
出版	北京：科学技术文献出版社；重庆分社
参考页数	165
出版时间	1974（求助前请核对）目录预览
ISBN号	无 — 求助条款
PDF编号	89723178（仅供预览，未存储实际文件）
求助格式	扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册）

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目录1

可靠性物理、数学模型和统计学中的一些统一概念1

集成电路可靠性筛选程序8

失效分析在集成电路的采购和筛选中的应用22

对于集成电路级增应力试验概念的界限38

二氧化硅上铝金属化的可靠性现象44

集成电路中与热压键合有关的失效机理54

硅集成电路的无损的铝－金系统59

集成电路互连铝金属层的选择性铬酸盐转换63

降低半导体器件质量的微缺陷在硅原始材料中的作用67

硅晶体管中的结构缺陷和结特性72

氧化物－硅界面77

绝缘层上可动表面电荷的积聚和衰减及其与硅器件可靠性的关系90

与硅器件表面失效机构有关的缺陷和杂质99

清洁金属氧化物半导体系统110

用放射化学和MOS分析硅上热氧化层中正负离子的运动121

热氧化物中磷扩散对MOS结构热稳定性的影响126

温度和偏压处理时钝化的P+-N结的失效机理132

硅PN结中沟道电流形成的机构140

半导体器件铁－镍－钴合金引线的应力腐蚀失效的防护147

氧化硅上通电薄层铝条的失效153

硅平面管用七种冶金学系统的分析157

金相学在电子元件失效分析中的应用161

1974《半导体器件的可靠性专集》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由中国科学技术情报研究所重庆分所编辑 1974 北京：科学技术文献出版社；重庆分社出版的版本）。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。

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