《现代半导体器件的可靠性理论与技术》求取 ⇩

目录1

第1章　半导体器件的性质与质量保证1

1.1 半导体器件的性质1

1.2 质量保证7

第2章　可靠性评价20

2.1 可靠性试验20

2.2 加速试验30

2.3 可靠性和失效分布40

2.4 威布尔概率纸的用法59

2.5 可靠度预测……………………………………………（72 ）2.6 可靠性评价的新课题…………………………………（75 ）第3章　可靠性因素及失效分析84

3.1 可靠性因素及失效机理、失效模型84

3.2 筛选96

3.3 失效分析程序与装置105

第4章　半导体分立器件的可靠性134

4.1 短路失效134

4.2 开路失效143

4.3 热阻150

4.4 二次击穿（SB）和安全工作区（ASO）156

4.5 热疲劳164

4.6 银的迁移171

4.7 外引线断裂178

4.8 DLD（暗线缺陷）179

第5章　集成电路器件的可靠性185

5.1 热载流子186

5.2 氧化膜的时效击穿196

5.3 慢浮获202

5.4 电迁移209

5.5 应力迁移227

5.6 树脂密封封装的耐潮性234

5.7 由热应力决定的可靠性267

5.8 静电击穿294

5.9 闩锁现象306

5.10 软错误317

第6章　半导体器件的抗辐射加固323

6.1 辐射引起的器件损伤的种类323

6.2 稳定的电离辐射引起的损伤及加固方法324

6.3 单个高能粒子引起的损伤及加固方法331

附录　质量保证标准和质量认证334