《半导体器件及电路的可靠性与退化》求取 ⇩

目录1

第一章　半导体上金属薄膜间的相互作用1

1.1 引言1

1.2　金属薄层的性质2

1.3　固态扩散16

1.4　多元相互作用过程32

1.5　扩散阻挡层41

1.6　电迁徙49

1.7　分析和深度剖析技术59

1.8　总结，未来趋势和结论89

第二章　硅化物形成的机理和界面层90

2.1 引言90

2.2　硅化物形成概述92

2.3　硅化铂系统96

2.4　硅化物的性质108

2.5　合金和双层硅化物117

2.6　离子混杂和激光退火122

2.7　电学性质126

第三章　砷化镓和磷化铟上金属薄膜的相互扩散131

3.1 引言131

3.2　欧姆接触133

3.3 肖特基势垒金属化150

3.4　结论169

第四章　硅器件及集成电路的可靠性与退化172

4.1 引言172

4.2　与体内和表面相关的现象178

4.3　金属化188

4.4　超大规模集成电路可靠性的趋向197

4.5　与封装相关的效应210

4.6　结论214

第五章　有源Ⅲ-Ⅴ族半导体器件的可靠性与退化215

5.1 引言215

5.2　小信号GaAs FET的可靠性评定216

5.3　功率GaAs FET的可靠性评定225

5.4　致命性失效241

5.5　辐射效应248

5.6　恶劣环境效应256

5.7　其它GaAs器件的可靠性259

5.8　与材料相关的问题269

5.9　总结275

第六章　激光器和发光二极管的可靠性与退化282

6.1 引言282

6.2　器件的劣化与寿命试验方法292

6.3　GaAs和GaAlAs高电流密度光源的退化300

6.4　其它半导体光源330

6.5　结论337

第七章　微波集成电路的可靠性与退化339

7.1 引言339

7.2　平面传输线340

7.3　与材料和工艺相关的精度358

7.4　衬底-薄层结构的稳定性381

7.5　微波集成电路的组装402

参考文献415