《表面与薄膜分析基础》求取 ⇩

第1章综述概念、单位与Bohr原子1

1.1 引论1

1.2 能量、单位与粒子4

1.3 波粒二象性与晶格间距6

1.4 Bohr模型8

问题9

参考资料11

第2章原子磁撞与背散射谱12

2.1 引论12

2.2 弹性散射的运动学13

2.3 Rutherford背散射谱——实例17

2.4 散射截面与碰撞参数18

2.5 中心力散射20

2.6 散射截面：二体情形23

2.7 低能与高能情形对Rutherford散射的偏离25

2.8 低能离子散射（LEIS）27

2.9 前向反冲谱30

2.10 质心系到实验室系的坐标变换32

问题35

参考资料37

3.2 能量损失的一般介绍及其单位38

3.1 引论38

第3章 轻离子的能量损失和背散射深度剖面38

3.3 MeV级的轻离子在固体中的能量损失39

3.3.1 适用的能量范围39

3.3.2 推导dE/dx41

3.3.3 电子能量损失与核能量损失的比较44

3.4 化合物中的能量损失—Bragg定则45

3.5 背散射中的能量宽度47

3.6 背散射谱的谱形50

3.7 Rutherford散射的深度剖面52

3.8 深度分辨能力与能量损失离散54

3.8.1 掠射角技术55

3.8.2 离散56

3.9 氢与氘的深度剖面58

3.10 H与He离子的射程60

3.11 溅射及其灵敏度极限62

3.12 散射关系概要64

问题65

参考资料67

第4章溅射深度剖面与次级离子质谱69

4.1 引论69

4.2 离子轰击溅射——一般概念71

4.3 核能量损失74

4.4 溅射产额79

4.5 次级离子质谱（SIMS）80

4.6 次级中性质谱（SNMS）87

4.7 择优溅射与深度剖面89

4.8 界面展宽和离子混杂90

4.9 原子的Thoas-Fermi统计模型94

问题96

参考资料96

5.1 引论99

5.2 单晶中的沟道效应99

第5章沟道效应99

5.3 杂质在晶格中的位置103

5.4 沟道效应通量分布105

5.5 表面相互作用的二原子模型109

5.6 表面峰112

5.7 衬底遮蔽作用Ag（111）上外延Au116

5.8 外延生长118

5.9 薄膜分析119

问题121

参考资料122

6.2 电子谱：能量分析124

6.1 引论124

第6章电子－电子相互作用与电子谱的深度灵敏度124

6.3 逃逸深度与探测体积125

6.4 非弹性电子－电子碰撞129

6.5 电子碰撞电离截面130

6.6 等离子激元130

6.7 电子平均自由程133

6.8 薄膜的表面形貌对电子衰减的影响135

6.8.1 逐层生长135

6.8.2 单层加成岛式137

6.8.4 淀积原子的分布138

6.8.3 成岛式138

6.9 电子在固体中的射程139

6.10 电子能量损失谱（EELS）142

6.11 轫致辐射145

问题149

参考资料150

第7章表面结构152

7.1 引论152

7.2 衍射参数152

7.3 热振动与Debye-Waller因子154

7.4 低能电子衍射（LEED）157

7.5 掠射角X射线衍射164

7.6 透射电子显微镜169

问题176

参考资料177

第8章固体中的光子吸收与EXAFS178

8.1 引论178

8.2 Schr?dinger方程178

8.3 波函数180

8.3.1 平面波（V=0）181

8.3.2 类氢波函数［V(r)=-Ze2/r］181

8.4 量子数、电子组态与符号184

8.5 跃迁几率185

8.6 光电效应——方阱近似187

8.7 类氢原子的光电跃迁几率190

8.8 X射线吸收192

8.9 广延X射线吸收精细结构（EXAFS）197

8.10 与时间有关的微扰理论200

8.10.1 Fermi黄金定则200

8.10.2 振荡电场中的跃迁几率203

8.10.3 自发跃迁204

问题206

参考资料207

9.1 引论209

第9章X射线光电子谱（XPS）209

9.2 实验210

9.2.1 辐射源210

9.2.2 电子谱仪212

9.3 光电子动能213

9.4 光电子能谱215

9.5 结合能与终态效应217

9.6 结合能位移；化学位移219

9.7 定量分析220

问题223

参考资料224

10.1 引论227

第10章辐射跃迁与电子微探针227

10.2 X射线谱的术语228

10.3 偶极选择定则228

10.4 电子微探针230

10.5 自发发射跃迁率233

10.6 Ni中Ka发射的跃迁率234

10.7 电子微探针定量分析235

10.7.1 定量分析237

10.7.2 校正因子239

10.8 质子（和氦）感生X射线发射（PIXE）240

10.9 辐射跃迁几率的计算242

10.10 比值κβ/κα的计算246

问题248

参考资料249

第11章非辐射跃迁与Auger电子谱251

11.1 引论251

11.2 Auger跃迁252

11.2.1 术语252

11.2.2 能量255

11.2.3 化学位移256

11.2.4 类氢原子中Auger跃迁几率的估算KLL跃迁257

11.3 Auger电子产额与荧光产额260

11.4 原子能级的宽度与寿命262

11.5 Auger电子谱263

11.6 定量分析269

11.7 Auger深度剖面270

问题273

参考资料275

第12章核技术活化分析与瞬发辐射分析277

12.1 引论277

12.2 Q值与动能281

12.3 放射性衰变285

12.3.1 β衰变286

12.3.2 γ衰变287

12.4 放射性衰变定律288

12.5 放射性核素的产生289

12.6 活化分析290

12.7 瞬发辐射分析292

12.7.1 能量分析法293

12.7.2 共振法297

问题301

参考资料302

附录1 入射粒子为4He，靶原子量M2为整数的运动学因子KM2304

附录2 元素对1MeV4He的Rutherford散射截面311

附录3 4He的阻止截面318

附录4 原子的电子组态和电离势331

附录5 电子的结合能（eV）339

附录6A X射线波长（以??为单位）345

附录6B 密度与质量吸收系数352

附录7 KLLAuger能量358

附录8 元素表366

附录9 K、L及M壳层的荧光产额385

附录10 物理常数、相互关系及单位转换389

缩略语表390

索引393

表面分析技术402