《薄膜技术基础》求取 ⇩

第1章真空基础1

1.1 何谓真空1

1.2 真空度的单位2

1.3 气体的性质5

1.3.1 平均速度υ？6

1.3.2 分子直径δ7

1.3.3 平均自由？L7

1.3.4 入射频率Z7

1.4 气流与流导9

1.4.1 小孔的流导10

1.4.2 长管的流导10

1.4.3 短管的流导11

1.4.4 组合流导的公式11

1.5 蒸发速度11

参考文献12

2.1 真空泵14

第2章真空泵与真空规14

2.1.1 油封机械泵16

2.1.2 油扩散泵18

2.1.3 吸附泵22

2.1.4 溅射离子泵23

2.1.5 升华泵26

2.1.6 低温冷凝泵28

2.2.1 热传导真空规29

2.2 真空测量仪器——总压强规29

2.2.2 电离真空规——电离规31

2.2.3 盖斯勒管34

2.2.4 真空规的安装方法36

2.3 真空测量仪器——分压强计36

2.3.1 磁偏转型质谱计37

2.3.2 四极滤质器(四极质谱计)37

参考文献39

第3章真空装置的实际问题41

3.1 排气的基础知识41

3.3 排气时间的估算46

3.2 材料的放气46

3.4 实用的排气系统48

3.4.1 离子泵系统48

3.4.2 扩散泵系统50

3.4.3 残余气体51

3.5 检漏52

3.5.1 检漏方法53

3.5.2 检漏的实际操作56

3.6 大气温度与湿度对装置的影响58

3.7 烘烤用的内部加热器59

参考文献60

第4章薄膜的基础知识62

4.1 气体和固体62

4.1.1 化学吸附和物理吸附62

4.1.2 吸附的几率和吸附时间67

4.2 薄膜的生长70

4.2.1 核生长71

4.3 外延—基片晶体和生长膜晶体的取向(方位)关系73

4.2.2 单层生长73

4.3.1 外延温度74

4.3.2 基片晶体的劈开75

4.3.3 压强的影响77

4.3.4 残余气体的影响77

4.3.5 蒸镀速度的影响78

4.3.6 基片表面的缺陷—电子束照射的影响78

4.3.7 电场的影响78

4.4.1 导电性79

4.4 薄膜的基本性质79

4.3.8 膜厚的影响79

4.4.2 电阻温度系数TCR80

4.4.3 薄膜的密度81

4.4.4 经时变化82

4.4.5 电介质膜83

4.5 薄膜的内应力83

参考文献86

第5章真空镀膜法89

5.1 概论89

5.2.1 蒸发镀膜和离子镀93

5.2 源和膜的成分——如何得到所需膜的成分93

5.2.2 溅射法94

5.3 附着强度——如何提高镀膜质量95

5.3.1 预处理96

5.3.2 蒸发条件98

5.3.3 蒸发与溅射的比较——不加热的情况99

5.3.4 蒸发、离子镀和溅射的比较——加热和离子轰击同时进行的情况100

5.4 台阶涂敷和射着膜率102

5.5 气泡和超净室103

参考文献106

第6章蒸发镀膜107

6.1 蒸发源107

6.1.1 电阻加热蒸发源107

6.1.2 高频加热蒸发源110

6.1.3 电子束蒸发源110

6.2 蒸发源的蒸气发射以特性与基片配置112

6.3 实用装置116

6.5.1 透明导电膜In2O2—SnO2系列117

6.5 蒸发实例117

6.4 蒸发时的压强117

6.5.2 分子束处延(MBK)118

6.5.3 合金的蒸发——瞬时蒸发120

参考文献121

第7章离子镀122

7.1 离子镀的方式122

7.2 对膜的影响125

7.2.1 附着强度125

7.3 离子镀的用途126

7.2.2 绕射着膜126

7.2.3 膜的结晶性126

参考文献127

第8章溅射128

8.1 溅射现象128

8.1.1 离子能量和溅射率(溅射产额)129

8.1.2 溅射率与离子和固体的关系130

8.1 溅射原子的能量131

8.2 溅射方式134

8.2.1 二极溅射136

8.2.2 三极或四极溅射139

8.2.3 高速低温溅射——磁控管溅射141

8.2.4 高频溅射149

8.3 溅射实例150

8.3.1 鉏的溅射150

8.3.2 透明导电膜的溅射154

8.3.3 铝及其合金的溅射156

8.4 连续测射装置157

8.3.4 其他应用157

参考文献160

第9章干式刻腐蚀163

9.1 离子束加工164

9.2 溅射刻蚀，氟氯烷烃溅射刻蚀(干式刻蚀)167

9.3 等离子体刻蚀171

参考文献174

第10章气相生长法175

10.1 主要的生成反应176

10.2 CVD法的特征179

10.3 常压强CVD—Normal Pressure CVD(NPCVD)181

10.4 低压强CVD—Low Pressure CVD(LPCVD)182

10.5 等离子体强化CVD—Plasma Enghanced CVD(PCVD)183

10.5.1 生成反应183

10.5.2 装置183

参考文献184

第11章用来评价薄膜的装置186

11.1 膜厚的测定186

11.1.1 电学方法186

11.1.3 用光学方法测定膜厚188

11.1.2 用微量天平测定膜厚188

11.1.4 用机械方法测定膜厚193

11.2 元素分析195

11.2.1 俄歇电子谱196

11.2.2 X射线微量分析XMA和荧光X射线分析199

11.2.3 离子探针分析装置LMA200

11.3 薄膜的结构分析201

参考文献202

附录 各种元素的温度-蒸气压特性203