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目 录3

第一章 晶体的内部结构和晶体的结合3

§1——1 晶体内部结构的周期性3

§1——2 立方晶系几种常见的晶体结构10

§1——3 晶列与晶面的取向22

§1——4晶体的结合30

第二章晶格振动和晶格缺陷42

§2——1 一维均匀线的振动42

§2——2 一维单原子链的振动46

§2——3 一维双原子链的振动52

§2——4玻恩——卡曼边界条件61

§2——5 三维晶体中原子的振动和声子64

§2——6 晶体中的点缺陷和杂质70

§2——7位错和层错76

第三章半导体中的电子状态85

§3——1 电子的运动状态和能级85

§3——2 导带和价带，电子和空穴90

§3——3杂质能级97

§3——4缺陷能级108

第四章热平衡情况下载流子的密度112

§4——1 电子的统计分布112

§4——2 电子和空穴密度的一般表示式118

§4——3本征半导体126

§4——4杂质半导体131

§4——5一般情况下的统计分布145

§4——6 载流子的简并化154

第五章半导体中的电导和霍尔效应161

§5——1载流子的散射161

§5——2 电导现象174

§5——3 迁移率和电导率179

§5——4 强电场效应190

§5——5 一种载流子的霍尔效应194

§5——6 两种载流子的霍尔效应206

§6——1 非平衡载流子的产生和寿命213

第六章非平衡载流子213

§6——2连续性方程220

§6——3 非平衡少数载流子的扩散229

§6——4 少子电流和多子电流234

§6——5 非平衡少数载流子的漂移和扩散239

§6——6 少子脉冲的扩散和漂移244

§6——7海恩斯——萧克莱实验250

§6——8近本征材料253

§6——9复合机理257

§6——10直接复合262

§6——11 通过复合中心的复合272

§7——1 表面势、能带弯曲和空间电荷区282

第七章半导体表面282

§7——2 空间电荷区的进一步分析293

§7——3接触电势差305

§7——4表面态313

§7——5 理想MOS的电容——电压特性317

§7——6 实际MOS的电容——电压特性328

§7——7表面结构340

第八章p—n结349

§8——1平衡态的p—n结349

§8——2 p—n结的电流——电压特性353

§8——3 简单理论的修正365

§8——4 p—n结电容374

§8——5 p—n结击穿387

第九章 晶体的对称性402

§9——1群论初步402

§9——2对称操作409

§9——3 点群420

§9——4 晶体的对称性——空间群432

§9——5 晶体宏观性质的对称性444

§9——6倒格子455

第十章能带理论462

§10——1 能带理论的基础462

§10——2布洛赫定理465

§10——3 周期性边界条件471

§10——4 能带及其一般特性474

§10——5布里渊区480

§10——6 电子的平均速度和加速度487

§10——7金属、半导体和绝缘体495

§10——8空穴502

§10——9回旋共振506

§10——10状态密度524

第十一章 能带的计算方法528

§11——1 动量表象中的运动方程式528

§11——2 准自由电子近似法535

§11——3 紧束缚近似法547

§11——4原胞法556

§11——5 正交化平面波方法561

§11——6赝势法565

§11——7 k·p方法567

第十二章输运现象的统计理论572

§12——1一般介绍572

§12——2 玻耳兹曼方程和弱场情况下的解578

§12——3 在具有立方对称性的半导体里，输运现象中的一般公式585

§12——4 球形等能面情况下的输运现象591

§12——5 两种载流子的输运现象601

§12——6 多能谷情况下的输运现象606

§12——7 强磁场情况下的电流磁效应621