《表1 SRAM的操作数放置策略》
其中,MOF编码输出模块主要是从左向右输出标量k的每一位比特,标量乘法运算状态机根据输入的比特产生相应的控制信号来调用倍点运算状态机与点加运算状态机,最后倍点运算状态机与点加运算状态机将计算结果反馈到标量乘法运算状态机。由于椭圆曲线密码标量乘法运算中的操作数包括坐标点、临时变量曲线参数等很多且均为很大的数,所以为减少面积开销,采用SRAM存放这些操作数。然而,由于SRAM在一个周期内仅能读取或写入一个字,所以为了不影响底层域模块的执行效率,应把需要同时存取的操作数存放在不同的SRAM中。标量乘算法底层域模块对于操作数的放置主要包括如下两个方面约束:(1)模加减运算A+B=Dmod N,其中A,B,D,N存放在不同的SRAM中,但两个操作数相同或是某一操作数为N的除外;(2)模乘运算A×B=Tmod N,其中模乘器为二级流水线实现,要求其同时能对T进行读写,A,B,T存放在不同的SRAM中,但两个操作数相同的除外。因此,采用四块56×32的单口SRAM与一块24×32的双口SRAM。其中,SRAM的操作数放置策略如表1所示。
图表编号 | XD0091077000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.08.20 |
作者 | 时丽平、王子健 |
绘制单位 | 河南质量工程职业学院、河南质量工程职业学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |