《表1 SRAM IP硬核的功能良率分布Tab.1 Functional yield distribution of the SRAM IP》

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《IP硬核无损测试技术》

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ATE对被测IP硬核的测试验证可以分成两个方面，一方面将评估系统片内嵌的评测电路与外部ATE测试环境结合，通过可精确计量的误差补偿回路，校正测试线路阻抗匹配、时延和寄生参数带来的测试偏差，补偿评测电路工艺、电压、温度、阻抗和噪声变化而引起的测量结果的不确定性；另一方面，ATE可以直接在观察接入点扫描IP硬核由于工艺问题引起的性能差异，通过扫描时序与电压，建立被测IP硬核性能的特征扫描图，主要评测激励参数与IP硬核的功能和响应参数曲线，包括单参数响应（二维）曲线，如电源-速度曲线、电压-功耗曲线，双参数响应（三维）曲线，如电源-输入电平-速度曲线、电源-输入电平-功耗曲线，多参数响应（多维）曲线，如电源-输入电平-时序-速度曲线、电源-输入电平-时序-功耗曲线，可以通过扫描测试、算法搜索测试等技术实现。表1为20只静态随机存储器（SRAM）IP硬核芯片分别在1.3，1.15，1，0.9，0.8和0.7 V共6种电源电压条件下，对内部64个SRAM区块进行不同配置条件下的功能BIST验证，按通过/未通过（pass/fail，P/F）统计其良率得到其功能良率（Y）分布。图2所示为100只该SRAM IP硬核芯片在不同工艺角、不同温度、不同电压下最大速率（f）曲线图，图中n为芯片个数，TT/NT/NV表示TT工艺角、25℃、电源电压1.05 V条件下的IP硬核芯片速率曲线，SS/HT/LV表示SS工艺角、125℃、电源电压1.155 V条件下的IP硬核芯片速率曲线，FF/LT/HV表示FF工艺角、-40℃、电源电压0.945 V条件下的IP硬核芯片速率曲线。