《表1 SRAM优化的实验分组设计》
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《利用halo注入倾斜角和栅极尺寸组合调整来提升SRAM性能》
在本文研究中,我们设计了不同halo注入倾斜角度/剂量结合两种栅极尺寸的实验,用于寻找能增加SRAM beta比例值的合适制程条件。分组条件总结见表1。不同值的栅极尺寸通过光刻工艺调整来实现,最终得到增加2nm的栅极尺寸条件,当然,下拉管和控制管是同时增加2nm的。
图表编号 | XD00187851800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.02.20 |
作者 | 景旭斌、徐翠芹、田明 |
绘制单位 | 上海华力集成电路制造有限公司、上海华力集成电路制造有限公司、上海华力集成电路制造有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |