《表1 In GaAs焦平面参数》

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《短波红外InGaAs焦平面噪声特性》

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通过测试160×128元探测器阵列的电学性能，提取和焦平面噪声密切相关的暗电流和结电容．将160×128元探测器阵列通过In柱倒焊互连工艺，与匹配的CMOS读出电路进行耦合．读出电路采用CTIA输入级，相关双采样结构，有效抑制读出电路开关的KTC噪声．两种材料制备的探测器阵列参数和读出电路的电学参数见表1.

图表编号	XD0089656300 严禁用于非法目的
绘制时间	2019.08.01
作者	于春蕾、李雪、邵秀梅、黄松垒、龚海梅
绘制单位	中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国家重点实验室、中国科学院上海技术物理
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