《表1 GaAs的晶体基本信息[12]》
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《GaAs晶体的电子结构和光学性质的第一性原理研究》
本文通过第一性原理的CASTEP模块[9]对GaAs晶体的电子结构及其光学性质进行计算.前期已经对GaAs半导体材料做过收敛性测试等工作,所选取的数值较为接近理论值,GaAs属于F-43M空间群.GaAs基本信息见表1,使用基于密度泛函理论的第一性原理对晶体的晶格参数进行优化,对GaAs的能带结构和态密度以及光学性质进行计算、分析和讨论[10-11].
图表编号 | XD00176880200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.01 |
作者 | 熊明姚、罗玲、张锐、苏欣 |
绘制单位 | 伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室 |
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