《表1 本设计与国内外主流GaAs产品对比》

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《100 nm GaN基6～18 GHz低噪声放大器的研制》

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本文的研究结果与近几年相似频段的GaAs产品对比见表1，由该表可知，在噪声系数方面，本文GaN基低噪放与主流GaAs基低噪放已经处于相当水平，由于GaAs低噪放在应用中还需要加限幅器，这样看来，GaN低噪放还是有不小的优势。