《表3 PLI最新研制的InP GM-APD焦平面阵列参数》

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《InP基近红外单光子雪崩光电探测器阵列》

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2011年Itzler等[35]对InP GM-APD焦平面阵列研制方面的进展进行了报道。如图7(a）所示，其阵列像元采用背入射平面型结构。GM-APD焦平面阵列主要使用倒接焊的方法，主要结构如图7(b）所示，包括InGaAs(P）/InP GM-APD阵列、时间计数的硅CMOS的ROIC和MLA。使用高性能光学环氧树脂将MLA固定到GM-APD阵列上，固化速度相对较快，并且该过程在消除MLA与APD的位置偏移方面是可靠的。表3为该公司报道的已研制成功的InGaAs(P）/InP GM-APD焦平面阵列的参数对比。