《表1 三级台面InGaAs/InP APD材料参数》
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《三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计》
式中，vn与vp是电子和空穴的漂移速率，α与β是电子和空穴的碰撞电离系数.仿真所用碰撞电离系数采用文献[12]所得的实验数据，其它仿真参数如表1[13]所示.
| 图表编号 | XD0023374500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.04.01 |
| 作者 | 朱帅宇、谢生、陈宇 |
| 绘制单位 | 天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室、天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室、中国科学院半导体研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
