《表3 本文算法与HSPSO算法所得稀布平面阵列的旁瓣参数》

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《一种低副瓣稀布阵列天线的方向图综合算法》

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对一个M行N列的矩形平面阵列，其方向图表达式如（2）式。为了应用本算法，只需把IFT算法中的FFT换为2-D FFT即可。首先，利用IFT算法产生一个初始的矩形平面稀疏阵列，以纵向（列方向）为参考方向，针对该阵列的每一列单元，选取相邻间距大于半波长的单元作为待优化的对象。然后，利用DE算法对这些单元的位置和相位进行优化以获取具有更低副瓣的稀布平面阵列。为此，假定初始稀疏阵列的栅格数目为24×24，填充因子为44%。利用本算法得到的稀布阵的单元分布如图8。图8中，符号“+”代表无需优化的单元，这些单元处于矩形阵列的栅格位置上。符号“□”代表被优化单元的最终位置（为简单起见，规定这些单元的位置只在阵列的纵向发生变化）。从图8可以看出，在总数为254的单元中，被优化单元的数目为30个，它们的位置相当于在原来的栅格位置附近发生了扰动。图9给出了被优化单元的相位分布。图9中编号1～30是指按照图8中列的顺序，从上到下，从左到右，依次对被优化单元进行的编号。图10为所得稀布阵列的三维方向图，该方向图的旁瓣电平为-22.44 dB，比文献[7]中的结果低3.47 dB。与之类似，若初始稀疏阵列的栅格结构为12×12，填充因子为48%，利用本算法得到的稀布平面阵列的旁瓣电平为-18.52 dB，比文献[7]中的结果低约1.8dB。表3给出了2种方法的对比结果。可以看出，与HSPSO算法相比，本文算法在低副瓣稀布平面阵列的方向图综合中具有一定优势。