《表3 多层异质半导体材料的数字云纹计算结果》

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《基于透射电镜晶格图像数字云纹的应变测量方法》

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图7给出了硅基多层异质半导体材料样品的高分辨TEM图像。图中，（a） 与（b）分别取自于材料一ε-Si层附近与成分固定缓冲层内部；（c）与（d）分别取自于材料二的固定缓冲层内部与基底c-Si层内部。截取图中A～E五个代表性区域，其中，A、B、C区域出自于同一样品，A区域处于ε-Si层以内，依据材料制备的原理以及表面样品的紫外拉曼测量结果[19]，能够得出其应变状态为:εx=1.260%，εy=-0.351%，γxy=0，其中以界面法向即[001]方向为Y轴（以下同）。以A区域为参考栅，以B为试件栅，应用本文提出的方法进行分析计算应变。图8给出了拟合得到的三个方向TEM栅图像中各栅线的倾角数据，计算平均值并得到试件栅与参考栅之间的栅线转角θ。图9给出了A与B的TEM栅逻辑运算得到的数字云纹图像，从中量取条纹倾角。为了提高条纹倾角计量的精度，本文在原始图像中等步长平移截取A区获得相移的参考栅，再分别与B区图像进行逻辑运算获得多幅数字云纹图像，取各自条纹倾角获得其平均值。代入式（4）得到相应的线应变，如表3。利用式（5）即可得到B区相对于A区的各应变分量为:εxB/A=0.107%，εyB/A=1.289%，γxy B/A=-0.116%。根据A区的实际应变状态，得出B区的绝对应变为:εx=1.367%，εy=0.938%，γxy=-0.116%。同理，以A区域为参考栅，以C为试件栅，测量并计算出栅线转角θ、条纹倾角。线应变数据如表3，得到C区域的绝对应变为:εx=1.275%，εy=0.767%，γxy=1.165%。