《表4 关键步骤最佳工艺条件》
本文对高频双极晶体管的制造工艺难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺和多晶硅发射极工艺做了详细的分析与讨论,并对各个关键工艺的优化方法进行了表述。通过对器件参数的分析,获得的关键步骤最佳工艺条件如表4所示。
图表编号 | XD0057022400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.07.20 |
作者 | 赵圣哲、张立荣、宋磊 |
绘制单位 | 深圳方正微电子有限公司、深圳方正微电子有限公司、深圳方正微电子有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
本文对高频双极晶体管的制造工艺难点,包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺和多晶硅发射极工艺做了详细的分析与讨论,并对各个关键工艺的优化方法进行了表述。通过对器件参数的分析,获得的关键步骤最佳工艺条件如表4所示。
图表编号 | XD0057022400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.07.20 |
作者 | 赵圣哲、张立荣、宋磊 |
绘制单位 | 深圳方正微电子有限公司、深圳方正微电子有限公司、深圳方正微电子有限公司 |
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