《表1 所有样品的 (112) 峰与 (200) 峰的强度比Tab.1 Dependence of the XRD peak intensities on K-doping》

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《钾掺杂对柔性CZTSSe薄膜及其太阳电池性能的影响》

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图1所示为不同掺钾量的柔性CZTSSe薄膜的XRD图谱。从图中可以看出所有样品均在2θ=27.3°左右有一处较强的衍射峰介于CZTSe和CZTS的（112）主峰位置2θ=27.1°与2θ=28.5°之间（JCPDS 52-0868与JCPDS 26-0575），可确定该峰为CZTSSe相的（112）晶面，表明钾元素掺杂并不会改变所制备的柔性薄膜的（112）择优取向[5]。另外，XRD图谱显示所有柔性薄膜均具有CZTSSe相的（200），（204） ，（211） ，（312） ，（316） 和（101）晶面，其中随着钾掺杂量的增大，对应（200）晶面的衍射峰变弱，所有样品的（112）峰与（200）峰的强度比列于表1，（112） 峰与（200）峰的强度比值用R表示。观察表中数据可以发现，掺入钾元素后R值明显增大。样品K1.0的R值最大为15.4，是未掺杂钾元素的K0样品R值的2.3倍，表明钾元素的掺入增强了柔性CZTSSe薄膜的（112）择优取向[6]。除此以外，掺杂钾元素的柔性CZTSSe薄膜中的Ti Se杂相峰的峰强相较于未掺杂样品明显降低，当钾掺杂量大于1.0μmol后，图谱显示薄膜中存在K2S4和KCuSe杂相。