《表1 所有样品的（112）峰与（200）峰的强度比》

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《不同扩散阻挡层对柔性钛衬底CZTSSe薄膜与电池性能的影响》

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对3种扩散阻挡层和无阻挡层的CZTSSe薄膜样品进行XRD测试，结果如图1所示。由图1可知，所制备的柔性CZTSSe薄膜的（112）主峰均位于2θ=27.4°左右，介于CZTSe和CZTS的（112）主峰位置2θ=27.1°与2θ=28.5°之间（JCPDS 52-0868与JCPDS 26-0575），表明所制备的薄膜均为具有（112）择优取向的CZTSSe薄膜。从图1中可以明显观察到，无阻挡层的样品在对应于CZTSSe(200）处的峰强相对其他样品较大，所有样品的（112）峰与（200）峰的强度比列于表1，I%(112）/I%(200）的强度比值用K表示。由表1可知扩散阻挡层的加入使得K值增大，即对应的CZTSSe薄膜具有更强的（112）择优取向，其中基于TiN阻挡层的样品的K值最大，即该样品具有最强的（112）择优取向，并且该样品的（112）峰半高宽最小，说明加入TiN阻挡层后有助于提高CZTSSe薄膜的（112）晶面择优取向同时提高薄膜结晶性，3种阻挡层对CZTSSe薄膜结晶性的改善效果为TiN阻挡层>Cr阻挡层>ZnO阻挡层。