《表1 Na掺杂In N体系(In35Na N36)的自旋极化与非极化的能量差ΔEspin(ΔEspin=Esp-Ensp)、超晶胞的磁矩(Msup)以及在富In和富N条件下的形成能Ef.》
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如图1所示，掺杂的Na原子占据超晶胞的0位置．为了确定替代掺杂在能量上是否利于形成，我们计算了Na掺杂In N体系的缺陷形成能，计算结果如表1所示．从表1中可以看出，富N条件下Na掺杂In N的形成能低于富In条件下的形成能，这说明在富N的条件下，更容易实现Na对In N中In的替代掺杂．
| 图表编号 | XD004515100 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.09.15 |
| 作者 | 郑会玲、韩贺成、徐春艳 |
| 绘制单位 | 渤海大学新能源学院、渤海大学新能源学院、吉林工程技术师范学院量子信息技术交叉学科研究院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
