《表2 所有体系的形成能、Mn-P键长、净磁矩与铁磁-反铁磁态能量差ΔE》

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《Mn掺杂InP(111)-In极化面电子结构与磁性的第一性原理研究》

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如表2所示，随着Mn原子的掺杂位置上移，形成能Ef逐渐降低。这说明Mn处在最表面层时体系的形成能最低，体系最稳定。这一结论与文献[20]的实验结果相一致。表2显示出Mn在不同掺杂位置时所对应的最长键长与最短键长。如表2所示，随着Mn原子掺杂位置上移，Mn-P最长键与最短键的键长差异增大（对于位置1的Mn原子是由于出现了悬空键，悬空键键长为0.1603 nm，如图1）。这说明掺杂位置越靠近表面，晶格畸变越严重。这种晶格畸变使Mn原子的掺杂变得更加容易，因此所需要的形成能更低。这与之前对体系形成能的分析结果相一致。由于Mn的离子半径（0.067 nm）略小于In的离子半径（0.080 nm）。因此，Mn掺杂InP（111）-In极化表面相对稳定。