《表1 富Cd和富S条件下的形成能（Eform），反铁磁态（AFM）和铁磁态（FM）之间总能量差（△E=EAFM-EFM）和磁耦合状态》

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《部分非金属元素掺杂二维CdS的电子结构与磁性的第一性原理研究》

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采用基于自旋极化密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法研究了单个非金属原子X(B-F、Si、P、Cl、As和Br）掺杂2DCdS体系的磁性，并计算了两个非金属原子掺杂体系时的磁性耦合作用。计算结果表明，单个B、O、F、Si、Cl和Br等非金属原子掺杂2DCdS体系不能诱导出磁性，而C、N、P和As掺杂CdS可诱导出磁性，且磁矩分别为1.55、1.00、1.00和1.00μB。磁性主要来源于非金属原子p轨道未被抵消的电子产生的自旋磁矩，其中C原子掺杂体系部分来源于S-3p轨道的贡献。C、N和P掺杂体系的稳定结构显反铁磁性，而As掺杂体系则表现为铁磁性。研究表明，非金属掺杂2DCdS可以作为一种良好的稀磁半导体，在自旋电子学和器件方面具有广阔的应用前景。