《表2 在各种化学条件下VB和VN的缺陷形成能（Eform/e V)》

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《多孔BN选择性去除燃油中硫化合物的密度泛函理论研究》

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空位缺陷的形成能依赖于p-BN合成的化学环境，不同反应物或化学氛围（B源和N源）的选择将达到降低空位缺陷形成能的目的。缺陷形成能的计算结果如表2所示，在富硼环境下，VN缺陷形成能小于其在富氮环境下的形成能。例如N2H4、N2和NH3化学氛围下，VN的缺陷形成能分别为6.44、6.31和5.54 e V；而在富硼环境下（B2H4、α-B12和BH3）形成能降低至3.36、4.66和3.71 e V。因此，在富硼尤其是B2H4环境下更有利于VN形成。而在富氮条件下VB具有较小的形成能，例如，在N2H4气氛下VB具有最低形成能为6.20 e V，表明在富氮环境下更有利于VB形成。因此，为获取具有较强吸附脱硫效果的p-BN，采用N2H4为氮源比传统的N2和NH3氛围[32]下制备的材料更加有利于VB缺陷的形成。