《表1 DBT分别吸附在VN和VB上的Hirshfeld电荷分布》

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《多孔BN选择性去除燃油中硫化合物的密度泛函理论研究》

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注：1.B1，B2，B3/N1，N2，N3分别代表VN/VB空位周围的三个原子。2.Call，Hall分别代表DBT中所有的C原子与H原子。

为揭示缺陷p-BN吸附脱硫的机理，系统分析了吸附后各构型的电子结构：态密度（图5）、分子轨道占据态（图6）以及电荷密度（图7）。VN吸附DBT后[图5（a）]，缺陷能级发生明显的分裂，并且分态密度（partial density of states，PDOS）显示B原子的2p轨道和S原子的2p轨道存在明显的共振现象[图5（c）]，表明VN与DBT之间存在的化学相互作用主要通过缺陷周围的B与硫化物中的S以共价键方式成键。此外，吸附后体系的HOMO轨道[图6（a）]主要位于DBT的S原子与缺陷周围的B原子上，二者发生了明显的轨道重叠现象，证实了DBT与VN之间的化学相互作用。总电荷密度图[图7（a）]可以看出B—S键的形成；差分电荷密度图[图7（c）]中可以看出，BN和S之间存在电荷的耗尽区域，VN缺陷周围B原子上出现电荷富集，表明部分电荷从DBT转移到VN上。Hirshfeld电荷分析（表1）表明DBT分子吸附到VN上，向VN缺陷位点周围的B转移了0.169 e的电荷。