《表2 各氧化石墨烯结构形成能(e V)》
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《单点缺陷氧化石墨烯电子结构与光学特性的第一性原理研究》
*(a) Graphene oxide adsorbed with hydroxyl;(b) Graphene oxide with single substitution epoxy bond;(c) Graphene oxide with carbon oxygen double bond and sp3 hybrid epoxy bond;(d)Graphene oxide with two carbon-oxygen double bonds and one carbon-oxygen singl
其中(1)式为合成示意式,式中x、y变化调节不同氧化石墨烯的化学式。(2)式中Ef是形成能,Eb、Ee分别为(1)式始末各成分的总能。相对应计算结果列于表2,各结构形成能为负值,说明可以存在。
图表编号 | XD00210055000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.10.01 |
作者 | 林启民、崔建功、颜鑫、袁学光、陈小瑜、芦启超、罗彦彬、黄雪、张霞、任晓敏 |
绘制单位 | 北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室、中北大学电子测试技术重点实验室、北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室、北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室、北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室、北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室、北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室、北京市计算中心、北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室、北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室 |
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