《表3 不同烧结时间STO的晶粒尺寸》
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《SrTiO_3晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系》
在保持温度T=1 440℃不变的情况下,研究不同烧结时间t(t=0.514 h)对STO瓷片晶粒大小的影响.图5为T=1 440℃时,不同煅烧时间的SEM图,表3为不同烧结时间STO的晶粒尺寸及误差范围,图6为晶粒大小随煅烧时间的变化曲线.从图6可以看出STO晶粒大小随烧结时间的增加而增大,在t=2 h时达最大值约1.8μm,之后随烧结时间的增加而减小,并逐渐趋于稳定.
图表编号 | XD0033278600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.03.05 |
作者 | 李慧娟、董浩、石大为、何创创、庞锦标、杨昌平 |
绘制单位 | 湖北大学物理与电子科学学院、湖北大学物理与电子科学学院、湖北大学物理与电子科学学院、贵州振华电子信息产业技术研究有限公司、贵州振华电子信息产业技术研究有限公司、湖北大学物理与电子科学学院 |
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