《表1 不同温度下STO的晶粒尺寸》

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《SrTiO_3晶界层电容陶瓷的介电性能与晶粒大小的关系》

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采用SEM方法测量了不同烧结温度下（T=1 0001 480℃）STO陶瓷样品的晶粒尺寸，如图1所示.SEM测量法是利用软件对SEM图片中的晶粒粒径进行测量，随机选取晶粒数为2030，取平均值后得到该温度下STO晶粒大小.作为典型例子，图1示出不同温度下陶瓷样品晶粒的测量过程.表1为不同温度下STO的晶粒尺寸及误差范围.图2（a）为STO瓷片晶粒大小随温度变化的曲线.从图2（a）中可以看出，在某一区间内STO晶粒大小随温度升高而增大，当T=1 440℃时，晶粒达最大值，为1.76μm.当进一步升高温度，晶粒呈现减小趋势.此外，从图2（a）还可以看出当温度高于1 400℃时，晶粒将迅速增长.