《表4 Si-OH键吸收峰的位移变化》

《表4 Si-OH键吸收峰的位移变化》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《阴离子合成POSS端基官能化聚丁二烯与白炭黑相互作用》


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图6(a—d)为不同白炭黑含量和Si69含量下得到的PB-POSS结合胶的FTIR谱。图6(a、c)显示,填充白炭黑后,Si-OH键吸收峰向低波数区偏移,均与白炭黑(图3)的SiOH键吸收峰(3 428 cm-1)有较大的波数差,结果如表4所示。由文献可知[14,23],正是由于白炭黑与PB-POSS存在氢键相互作用,导致Si-OH键吸收峰向低波数偏移。白炭黑与PB-POSS氢键相互作用越强,Si-OH键吸收峰向低波数区偏移越多,与白炭黑的Si-OH键吸收峰波数差越大。由表4可见,白炭黑含量为50份、Si69含量为2.5份时,波数偏移最大,波数差也最大,证明此时白炭黑与POSS氢键相互作用最强,而结合胶含量在此条件下也最大,这就解释了结合胶含量的变化规律。