《表1 TE/TM极化吸收峰的出现位置及差值》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于2.5维小型化设计的UHF频段高性能超材料吸波体》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在2.5维小型化设计过程中，由于地板到介质板上下表面的距离不同，金属化过孔的引入将影响吸波体阻抗与自由空间阻抗的匹配，带来一定极化差异。前面的表面电流分析中已经指出，该吸波体TE/TM极化下的吸收性能可由上下表面衰减电阻分别控制调整。图4给出了上层电阻R1，R2阻值变化时TE极化波垂直入射下的吸收率曲线，当R1，R2从82Ω增大到120Ω时，吸收峰逐渐向高频方向移动，当R1=R2=100Ω时，吸收峰值最高，此时吸波体阻抗和自由空间阻抗匹配达到最佳。图5为下层电阻不同阻值时两种极化波垂直入射下吸波体的吸收曲线，当R3，R4从68Ω增大到100Ω时，吸收峰逐渐向高频方向移动。表1为下层电阻不同阻值时两种极化方式下吸收峰的出现位置及差值比较，可以看出，当R3=R4=82Ω时，TE，TM两种极化方式下的吸收峰位置达到一致，极化差异最小。