《表3 各蚀刻参数的优化水平表》

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《掩模干法蚀刻参数的优化研究》

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要提高铬/光刻胶的选择比，应该主要考虑气体的配比。在蚀刻过程中，Cl2提供很高浓度的活性基Cl*，提高了对铬的蚀刻速率；O2有助于生成挥发性副产物，但生成的氧化物会沉积在金属表面形成薄膜降低铬的蚀刻速率，因此Cl2、O2的配比会改变蚀刻选择性。压力p和RF功率对选择比的影响较小，主要对等离子、活性基团的能量密度和分布有影响。由以上正交实验可得各蚀刻参数的优化水平如表3所示。