《表1 三级放大器的器件偏置点Tab.1 Device bias points of the three-stage amplifier》
在设计低噪声放大器电路时,为实现最优噪声系数,选择合理的器件尺寸和器件偏置点非常关键。本电路在设计时首先对器件的直流和微波性能进行了全面分析,确定选用4指50μm单指栅宽的器件,器件的栅源电压Vgs=-0.4 V,漏源电压Vds=1 V。各级器件的栅极电压Vg、源极电压Vs和漏极电压Vd偏置点如表1所示。在Vgs=-0.4 V,Vds=1 V的直流偏置条件下,器件的漏极电流Id=15 m A。针对低功耗要求,本文设计的低噪声放大器采用三级级联、电流复用的拓扑结构,如图3所示。接收支路低噪声放大器在工作电压(Vd_Rx)为4 V时总功耗不大于60 m W。
图表编号 | XD00188425600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.04.03 |
作者 | 方园、高学邦、韩芹、刘会东 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |