《表2 样品的XPS组分分析Tab.2 Samples’composition analysis by XPS》

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《氧离子注入对氧化钒薄膜电学特性影响的研究》

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其中:g为EF能级处的纳米晶状态密度（cm-3）；q为电子电荷量，值是1.602×10-19 C；R为电子跳跃两个邻近定域态的距离（nm）；νph为声子振动频率，值是1012s-1；α为定域化参量；kB为玻尔兹曼常数，值是1.380×10-23J/K；T为室温下的绝对温度，值是300K.当O+注入后，E0会上升，而VO2纳米晶的密度g会下降，R会上升.从Mott方程式可以看出，q、νph、α、kB、T都为常数，考虑到指数依赖的敏感性，当E0和R上升，g下降时，电导率应会下降.因此O+注入后，氧化钒的方块电阻值会上升.对于低剂量Ar+注入样品，也会进一步导致薄膜非晶化，可能会破坏VOx中的纳米晶粒，使得原些有一部分VOx纳米晶非晶化，但是它的晶粒尺寸变得更小了，综合来看，Ar+注入后，VOx在EF处的纳米晶状态密度会略微上升.因为低剂量Ar+注入后，它的方块电阻值基本不变，结合Mott模型的分析，当E0上升时，g必须上升或R必须下降，它的方块电阻值才会基本不变，而R是由g所决定（g上升，R就下降），因此Ar+注入后，g会上升，VOx在EF处的纳米晶状态密度会略微上升.