《表1 样品信息Tab.1 Samples’information》

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《氧离子注入对氧化钒薄膜电学特性影响的研究》

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本文采用直流反应磁控溅射来淀积氧化钒薄膜.溅射工作气压在0.1Pa，工作气体为Ar/O2混合气体，其中O2的比例在10%，淀积时基底温度保持在200℃左右，所制备的薄膜厚度为55nm.在VOx薄膜淀积完成后，分别对薄膜进行不同剂量的O+和Ar+注入，其中O+注入的剂量分别为1014atoms/cm2和1016atoms/cm2，注入的能量为19keV.Ar+注入的剂量分别为1014atoms/cm2和1016atoms/cm2，注入的能量为43keV，所有样品的信息如表1所示.