《表2 XPS测得元素含量Tab.2 Element content measured by XPS》

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《共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究》

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图2a给出溅射功率为18 W时，XPS对AZO薄膜表面成分以及元素化学状态分析的全谱，可以观察到薄膜中Zn和O的特征峰，Al含量很少，没有显示出Al的特征峰。在放大谱图（图2b）中可以看出，Al3+的2p结合能位于73.58 e V。图2c和图2d分别是O1s和Zn2p3/2的光电子放大谱。由图2c可以看出，O1s可以进一步分解为O1、O2两个峰，位于529.98e V的O1峰来源于理想Zn O晶格中的O2-，位于531.28 e V的O2峰来源于Zn O晶格中O空位附近的O2-。由图2d看出，Zn2+的能谱峰位于1021.38 e V，说明薄膜中Zn原子主要以Zn2+存在[20]。表2列出了通过XPS测得的不同功率下的Al掺杂量，从表2可以看出，随着溅射功率的增大，Al的掺杂量逐渐增加，溅射功率为18 W时，Al掺杂质量分数为2.38%。