《表1 键合实验分组Tab.1 Groups for the bonding process》

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《面向射频微系统应用的圆片-芯片集成工艺技术研究》

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在完成实验圆片及芯片制备后，取用部分芯片进行分组实验，选取对键合质量及键合层状况影响较大的实验参数进行分组优化实验，这些参数包括键合压力、浸润温度及持续时间、合金温度及持续时间等。同时，由于Sn键合层在存储和运输过程中表面氧化明显，且容易出现沾污，该氧化层在键合的过程中将影响Sn的浸润及Au-Sn之间的相互扩散，因此键合前的氧化层处理也是影响键合质量的关键过程之一。该处理过程包括在芯片键合前利用乙醇浸泡并置于超声中清洗，并将清洗后的圆片及芯片在键合前2 h内进行离子洗表面处理，最大程度减少键合面杂质和氧化层。在键合过程中，添加助焊剂是去除氧化层的有效方法，但过量的助焊剂在短时间内无法充分挥发，会在键合层界面产生助焊剂残余，影响键合界面质量。键合实验的分组情况如表1所示。