《表3 临界水平推力测试结果Tab.3 Measurement of critical shear thrust》

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《面向射频微系统应用的圆片-芯片集成工艺技术研究》

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对各组样片进行水平剪切力测试，由于第1组实验样片在移动过程中脱落，键合层可承受的水平剪切力近似为0，使用的设备为ROYCE650型推拉力测试仪，测试在常温和将芯片加热至300℃下分别完成。第2至第6组芯片可承受的临界水平推力如表3所示。