《表1 不同P阀关闭时间对应样品的粗糙度与XRD数据对比》

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《As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究》

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超晶格结构是衬底上外延生长的一维（生长方向）周期性结构，超晶格的衍射遵守Bragg方程。结构中InGaAs层与InP层的应变不同，界面会出现起伏，影响周期的重复性，也会使卫星峰变宽[5]。卫星峰的多少则与晶格质量包括界面的质量有很大关系，也可作为对界面质量的评价标准[6]。因此，可用不同样品的卫星峰的衍射级数及一级卫星峰的半高宽定性地比较和分析界面质量。由图4可知P阀关闭时间为2～8 s条件下，XRD谱图可见单侧负方向-1～-20合计20级卫星峰且SL(-1）级卫星峰的半峰宽都在200 arc sec以下，而在12 s条件下，高级数卫星峰已难以分辨，一级卫星峰的半峰宽已展宽至446.52 arc sec。P阀关闭时间优化实验系列的相关测试数据列在表1中，综合此部分测试与分析，认为P阀关闭时间2～8 s为As/P界面生长的适宜参数。