《表2 不同As阀开启时间对应样品的粗糙度与XRD数据对比》

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《As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究》

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As阀开启时间优化实验系列的相关测试数据列在表2中，综合P阀关闭时间和As阀开启时间的优化实验，确定关P阀时间为5 s、开As阀时间为5 s为As/P界面生长的适宜参数，此条件下测得的超晶格表面RMS为0.205 nm，超晶格材料的单边卫星峰达20级，一级卫星峰半峰宽为145.05arc sec，综合比较此条件下生长的As/P界面质量最优。